트랜스폼의 TOLL FET, 전력 소모 심한 AI 애플리케이션을 위한 최적의 장치로 떠올라

골레타 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어) 2023년 10월 15일 --  견고한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더이자 차세대 전력 시스템의 미래를 이끄는 트랜스폼(Transphorm Inc.)(나스닥: TGAN)이 온저항 값이 35 50 72밀리옴에 달하는 TOLL 패키지의 SuperGaN® FET 3종을 발표했다. 트랜스폼의 TOLL 패키지 구성은 업계 표준으로 자리 잡고 있고 이는 어떤 e-모드 TOLL 솔루션이라도 SuperGaN TOLL FET으로 쉽게 대체할 수 있다는 것을 의미한다. 또한 새로운 장치는 성능이 입증된 트랜스폼의 고전압 다이내믹(스위칭) 온저항 안정성을 제공하며 이는 일반적으로 주요 파운드리 기반의 e-모드 GaN 제품에서 단점으로 지적되어 온 부분이다. 새로운 장치는 트랜스폼의 제품 페이지(https://www.transphormusa.com/en/products/)에서 체험해 볼 수 있다.

3개의 표면실장소자(SMD)는 평균 1~3킬로와트의 범위에서 운영되는 고전력 애플리케이션을 지원한다. 이러한 전력 시스템은 일반적으로 컴퓨팅(AI 서버 통신 데이터 센터)과 에너지 및 산업 분야(PV 인버터 서보모터)는 물론 현재 전 세계적으로 총 25억달러 가치의 GaN TAM이 사용되는 광대한 산업 시장에서 찾아볼 수 있다. AI 시스템은 전통적인 CPU보다 10~15배의 전력을 더 소모하는 GPU에 의존하는데 FET는 오늘날 급격히 팽창하고 있는 AI 시스템에 대한 최적의 솔루션이라는 점이 주목할 만하다.

트랜스폼의 고전력 GaN 장치는 이미 업계를 선도하는 고객들에게 광범위하게 공급되며 이들은 데이터 센터 전원 공급 장치 고성능 게이밍 PSU UPS 마이크로인버터 등 현재 생산 중인 고성능 시스템에 전력을 공급하기 위해 트랜스폼의 장치를 사용한다. 또한 TOLL 장치는 전기차 기반 DC-DC 컨버터 및 온보드 차저만큼 이러한 애플리케이션을 지원할 수 있으며 기본 SuperGaN 금형은 이미 자동차 사용에 대한 인증(AEC-Q101)을 받았다.

트랜스폼은 6가지 유형의 SuperGaN TOLL FET 패키지를 제공하고 고객들은 광범위한 패키지 옵션을 통해 자신만의 설계 요구를 충족시킬 수 있다. 트랜스폼의 다른 모든 제품과 마찬가지로 TOLL 장치는 노멀리 오프 d-모드(normally-off d-mode) SuperGaN 플랫폼을 통해 일궈낸 고유한 성능과 안정성의 이점을 활용한다. SuperGaN과 e-모드 GaN에 대한 자세한 경쟁 분석은 캐스코드 구성에서 d-모드 GaN이 가지는 근본적인 이점이라는 제목의 당사 최신 백서를 다운로드해 확인할 수 있다. 상용 280W 게이밍 랩톱 차저를 대상으로 올해 초 실시된 직접 비교에서 72밀리옴의 SuperGaN FET이 크기가 더 큰 50밀리옴 e-mode 장치의 성능을 압도하는 것으로 나타났다. 백서의 결론은 이와 일치한다.

SuperGaN 장치는 다음과 같은 특성을 통해 시장을 이끌고 있다.

· 0.03FIT보다 낮은 안정성

· ± 20V의 게이트 세이프티 마진

· 4V의 잡음 내성

· e-모드보다 20% 낮은 저항 온도 계수(TCR)

· 실리콘 기반의 컨트롤러/드라이버에서 쉽게 사용 가능한 표준 드라이버 및 보호 회로를 통한 드라이브 유연성

장치 사양

견고한 650V SuperGaN TOLL 장치는 JEDEC 인증을 받았다. 노멀리 오프 d-모드 플랫폼을 통해 저전압 실리콘 MOSFET에서 GaN HEMT를 이용할 수 있게 됨으로써 SuperGaN FET은 널리 사용되는 기성 게이트 드라이버와 쉽게 사용할 수 있다. 또한 AC-DC DC-DC DC-AC 토폴로지의 소프트 및 하드 스위칭에 광범위하게 사용해 전력 밀도를 높이는 동시에 시스템 크기 무게 및 전반적인 비용을 줄인다.

샘플 체험 및 보충 자료

SuperGaN TOLL 장치는 현재 샘플로 이용 가능하고 https://www.transphormusa.com/en/products/에서 신청해 제품을 받을 수 있다.

TOLL 기반 시스템 개발을 최적화할 수 있는 주요 애플리케이션 노트:

· AN0009: 트랜스폼 GaN FET에 권장되는 외부 회로

· AN0003: GaN 전력 변환을 위한 인쇄 회로 기판 레이아웃 및 프로빙

· AN0014: 저전력~중간 전력 GaN FET 애플리케이션을 위한 저비용 고밀도 고전압 실리콘 드라이버

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 고성능 고신뢰성 GaN 반도체의 설계 및 제조에 주력하고 있다. 1000개 이상의 자사 보유 특허 또는 라이선스 특허로 이루어진 업계 최대 규모의 Power GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 받은 고전압 GaN 반도체 장치를 생산하고 있다. 당사의 수직 통합형 디바이스 비즈니스 모델은 설계 제조 디바이스 애플리케이션 지원 등 전 개발 단계를 통틀어 혁신을 추구한다. 트랜스폼의 혁신은 실리콘의 한계를 뛰어넘어 전력 전자 디바이스의 효율을 99%까지 향상하고 전력 밀도를 50% 가까이 높이는 한편으로 시스템 비용은 20%까지 절감할 수 있다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에서 제조시설을 운영한다. 자세한 정보는 www.transphormusa.com에서 확인할 수 있다. 트랜스폼 공식 트위터: @transphormusa 트랜스폼 공식 위챗: @Transphorm_GaN

SuperGaN 마크는 트랜스폼의 등록상표이고 그 외 상표는 모두 해당 소유자의 자산이다.

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웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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연락처 트랜스폼(Transphorm Inc.) 헤더 에일라라(Heather Ailara) +1.973.567.6040 heather.ailara@transphormusa.com 투자자 연락처 데이비드 하노버(David Hanover) 또는 잭 퍼킨스(Jack Perkins) KCSA 전략 커뮤니케이션 transphorm@kcsa.com 이 뉴스는 제공�

이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.||||||웹사이트: http://www.transphormusa.com/|| 이 보도자료의 영어판 보기||||연락처||트랜스폼(Transphorm Inc.)||헤더 에일라라(Heather Ailara)||+1.973.567.6040||heather.ailara@transphormusa.com||||투자자 연락처||데이비드 하노버(David Hanover) 또는 잭 퍼킨스(Jack Perkins)||KCSA 전략 커뮤니케이션||transphorm@kcsa.com||||||이 뉴스는 제공자가 작성해 발표한 보도자료입니다. 미디어는 이 자료를 보도에 활용할 수 있습니다. 줌인뉴스는 편집 가이드라인에 따라 제공자의 신뢰성과 투명성을 확인하고 내용 오류를 없애고자 노력하고 있습니다. 보도자료에 문제가 있으면 줌인뉴스에 알려주시기 바랍니다.